FCD620N60ZF

パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、FRFET®、600 V、7.3 A、620 mΩ、DPAK

Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパー・ジャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、およびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET II MOSFET は、PFC、サーバ/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに非常に適しています。SuperFET IIFRFET® MOSFET の最適化されたボディ・ダイオードの逆回復性能により、追加のコンポーネントが削除され、システムの信頼性が向上します。

アプリケーション

Industrial Power Applications
Solar Inverter / AC-DC Power Supply

最終製品

Flat Panel Display TV Power
Server / Telecom Power
LCD / LED / PDP TV and Monitor Lighting

特長

650 V @ T_J= 150^oC
最大R_DS(on)=620mΩ
非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg=20nC)
低実効出力容量 (通常 Coss.eff=71pF)
100%電子なだれテスト済み
改善されたESD容量/RoHS対応
RoHS compliant

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_GS Max (V)

V_gs(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

Reference Price

FCD620N60ZF

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

Single

600

620

DC: ±20, AC: ±30

7.3

855

7.7

325

625

$0.7223

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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