FCB36N60N

Power MOSFET、Nチャネル、SUPREMOS®、FAST、600V、25A、125mΩ、D2PAK

Overview

SupreMOS® MOSFETは、従来のSJ MOSFETとは異なるディープトレンチ充填プロセスを採用した次世代の高電圧スーパージャンクション（SJ）技術です。この先端技術と正確なプロセス制御により、最小のRspオン抵抗、優れたスイッチング性能、堅牢性が実現します。SuperFET MOSFETは、PFC、サーバー/通信電源、FPD TV電源、ATX電源、産業用電源アプリケーションなどの高周波スイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。

アプリケーション

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特長

R_DS(on) = 81mΩ (通常) @V_GS = 10V、I_D = 18A
超少量のゲート電荷 (通常 Q_g = 86nC )
低実効出力容量 (通常 C_oss.eff = 361pF )
100%電子なだれテスト済み
RoHS対応

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_GS Max (V)

V_gs(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

Reference Price

FCB36N60NTM

Last Shipments

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

245

REEL

800

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK-3

High Voltage

Standard

Single

600

125

±30

312

3595

26.4

10000

149

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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