ON Semiconductor

IGBTs

PCGA200T65NF8: IGBT, 650 V, 200 A Field Stop Trench

Datasheet Rev. A (459kB)
Product Overview

内容: PCGA200T65NF8...

PCGA200T65NF8

特長

AEC-Q101 Qualified

Max Junction Temperature 175°C

Positive temperature Co-efficient

Ease of Paralleling

Short Circuit rated

Very Low Saturation voltage: V_CE(SAT) = 1.53V (Typ.) @ I_C = 200A

Optimized for Motor Control Applications

技術資料 & デザイン・リソース

シミュレーション・モデル (3)
データシート (1)

供給状況 & サンプル

PCGA200T65NF8

状態: Active

Compliance: AEC Qualified PPAP Capable Pb-free Halide free

内容: IGBT, 650 V, 200 A Field Stop Trench

外形タイプ:

外形 Case Outline:

MSL: NA

梱包形態タイプ: MTFRM

梱包形態数量: 1

Specifications

V_(BR)CES Typ (V): 650

I_C Max (A): -

V_CE(sat) Typ (V): 1.53

V_F Typ (V): -

E_off Typ (mJ): -

E_on Typ (mJ): -

T_rr Typ (ns): -

I_rr Typ (A): -

Gate Charge Typ (nC): 229

Short Circuit Withstand (µs): 5

E_AS Typ (mJ): -

P_D Max (W): -

Co-Packaged Diode: No