NGTD8R65F2: Rectifier 650V 30A FS2 bare die

内容: Rectifier bare die intended for use as IGBT revers...
  • Rectifier bare die intended for use as IGBT reverse diode
  • 特長
  • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
  • TJmax = 175°C
  • Optimized for High Speed Switching
  • These are Pb−Free Devices
  • アプリケーション
  • Solar Inverter
  • Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
  • Welding
  • 技術資料 & デザイン・リソース
    供給状況 & サンプル
    NGTD8R65F2SWK
  • 状態: Active
  • Compliance: Pb-free Halide free 
  • 内容: Rectifier 650V 30A FS2 bare die
  • 外形 タイプ: 
  • 外形 Case Outline: 
  • MSL: NA
  • 梱包形態 タイプ: PLRNG
  • 梱包形態 数量: 1
  • NGTD8R65F2WP
  • 状態: Active
  • Compliance: Pb-free Halide free 
  • 内容: Rectifier 650V 30A FS2 bare die
  • 外形 タイプ: 
  • 外形 Case Outline: 
  • MSL: NA
  • 梱包形態 タイプ: WJAR
  • 梱包形態 数量: 1
  • 在庫

  • Market Leadtime (weeks):2 to 4
  • Arrow:0
  • ON Semiconductor:3,140
  • Specifications
  • V(BR)CES Typ (V): 650 
  • IC Max (A):
  • VCE(sat) Typ (V):
  • VF Typ (V): 2.1 
  • Eoff Typ (mJ):
  • Eon Typ (mJ):
  • Trr Typ (ns):
  • Irr Typ (A):
  • Gate Charge Typ (nC):
  • Short Circuit Withstand (µs):
  • EAS Typ (mJ):
  • PD Max (W):
  • Co-Packaged Diode:
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