Nチャネル拡張モード電界効果トランジスタ 60V、0.115A、7.5Ω

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Overview

このNチャネル拡張モードMOSFETは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この製品は、オン抵抗を最小化しながら、堅牢で信頼性の高い、高速なスイッチング性能を実現するよう設計されています。最大400 mAのDCを必要とするほとんどのアプリケーションに使用でき、最大2 Aのパルス電流を供給できます。この製品は特に、小型サーボモータ制御、パワーMOSFETゲートドライバ、その他のスイッチングアプリケーションなどの、低電圧、低電流のアプリケーションに適しています。

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  • Small Servo Motor Control
  • Power MOSFET Gate Drivers
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 小信号スイッチで制御する電圧
  • 高い堅牢性と信頼性
  • 高飽和電流機能

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

2N7002

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236)

1

260

REEL

3000

N

60

7500

N-Channel

Single

±20

2.5

0.115

0.2

-

7500

-

1

20

$0.1013

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